FRAKO電容就是充電放電，當然還有整流、振蕩以及其它的作用。另外電容的結(jié)構(gòu)非常簡單，主要由兩塊正負電極和夾在中間的絕緣介質(zhì)組成，所以電容類型主要是由電極和絕緣介質(zhì)決定的。
FRAKO電容的四個誤區(qū)：
1、電容容量越大越好。
很多人在電容的替換中往往愛用大容量的電容。我們知道雖然電容越大，為IC提供的電流補償?shù)哪芰υ綇姟Ｇ也徽f電容容量的增大帶來的體積變大，增加成本的同時還影響空氣流動和散熱。關(guān)鍵在于電容上存在寄生電感，電容放電回路會在某個頻點上發(fā)生諧振。在諧振點，電容的阻抗小。因此放電回路的阻抗較小，補充能量的效果也較好。但當頻率超過諧振點時，放電回路的阻抗開始增加，電容提供電流能力便開始下降。電容的容值越大，諧振頻率越低，電容能有效補償電流的頻率范圍也越小。從保證電容提供高頻電流的能力的角度來說，電容越大越好的觀點是錯誤的，一般的電路設(shè)計中都有一個參考值的。
2、同樣容量的電容，并聯(lián)越多的小電容越好，
耐壓值、耐溫值、容值、ESR(等效電阻)等是電容的幾個重要參數(shù)，對于ESR自然是越低越好。ESR與電容的容量、頻率、電壓、溫度等都有關(guān)系。當電壓固定時候，容量越大，ESR越低。在板卡設(shè)計中采用多個小電容并連多是出與PCB空間的限制，這樣有的人就認為，越多的并聯(lián)小電阻，ESR越低，效果越好。理論上是如此，但是要考慮到電容接腳焊點的阻抗，采用多個小電容并聯(lián)，效果并不一定突出。
3、ESR越低，效果越好。
結(jié)合我們上面的提高的供電電路來說，對于輸入電容來說，輸入電容的容量要大一點。相對容量的要求，對ESR的要求可以適當?shù)慕档汀Ｒ驗檩斎腚娙葜饕悄蛪海浯问俏誐OSFET的開關(guān)脈沖。對于輸出電容來說，耐壓的要求和容量可以適當?shù)慕档鸵稽c。ESR的要求則高一點，因為這里要保證的是足夠的電流通過量。但這里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR電容會引起開關(guān)電路振蕩。而消振電路復(fù)雜同時會導(dǎo)致成本的增加。板卡設(shè)計中，這里一般有一個參考值，此作為元件選用參數(shù)，避免消振電路而導(dǎo)致成本的增加。
4、好電容代表著高品質(zhì)。
“唯電容論”曾經(jīng)盛極一時，一些廠商和媒體也刻意的把這個事情做成一個賣點。在板卡設(shè)計中，電路設(shè)計水平是關(guān)鍵。和有的廠商可以用兩相供電做出比一些廠商采用四相供電更穩(wěn)定的產(chǎn)品一樣，一味的采用高價電容，不一定能做出好產(chǎn)品。衡量一個產(chǎn)品，一定要多角度的去考慮，切不可把電容的作用有意無意的夸大。
更新時間：2021-04-26 
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